关键字：晶体管 四核 封装 双核 原生 并列 面积

下一代45nm Nehalem处理器的核心实物

　　2008年4月2日，为期两天的英特尔2008年春季信息技术峰会(IDF)今日在上海国际会议中心拉开帷幕。而且提前放出了下一代45nm Nehalem处理器的核心实物。

　　此次展示的代号“Bloomfield”的四核心版本，集成多达7.31亿个晶体管，但由于采用了先进的45nm工艺，因此核心面积并不大，只有大约265平方毫米，甚至比一枚欧元硬币还要小。从展示的图片来看，可以清楚地看到四个内核并列排在一起，并且这颗四核处理器采用的是由两个原生双核处理器封装在一个硅片上而来的。

　　另外，在本届IDF上，英特尔还将集中向业界、合作伙伴、媒体及分析师展示在移动计算研究、无线电技术、移动互联网等领域的最新研究成果。除了各种技术讲座外，英特尔还与讲座同期举办了展览会，英特尔的各种合作伙伴，包括PC厂商、软件厂商、解决方案提供商、内容提供商等也将展出他们的产品。

[ 本帖最后由 阡陌 于 2008-4-13 13:28 编辑 ]

实在是很可怕的设计 有一点点启发了

NHP加油~阡陌加油~

现在出来的45毫米芯片都不怎么样

那应该怎么样？

不是mm 是nm 纳米
相差6个数量级

[ 本帖最后由 阡陌 于 2008-4-13 02:31 编辑 ]

？？？怎么还是看不到图片？？

都是 XXXX

好了

失误失误

[ 本帖最后由 猪弟 于 2008-4-13 22:39 编辑 ]

现在的45纳米芯片都是在65纳米芯片的基础上改进的
真正超越65纳米级的芯片反正我是没看到

同今天的65nm技术相比，英特尔宣称45nm技术具有多个方面的优势：
1、晶体管密度提升了2倍，从而使芯片体积更小
2、晶体管切换功率降低30%以上
3、晶体管切换速度提升20%以上
4、源极-漏极漏电功率降低5倍以上
5、栅极氧化物漏电功率降低10倍以上

Xeon 5400处理器将会具有更高的集成度，每个四核处理器中将会包括8.2亿个晶体管，而上一代四核处理器Xeon 5300处理器则为5.8亿个晶体管，但是Xeon 5400处理器的核心面积则减小到了107平方毫米。“晶体管密度提升了2倍”的优势得以体现。

PS：本质上没有大区别，可以认为是5400系列是5300系列工艺改良版本，如同当初0.18um工艺的PIII500对比0.13工艺的PIII550一样，性能提高有限

当然，65nm提高到45nm后，对INTEL来说，提高的生产良品率 极大地降低成本

对用户来说 目前区别不大

工艺的改进带来的效益已远不如两三年前这么明显，工艺上的进步需要漫漫积累，当工艺足够提高后，才能有与之匹配的CPU微架构设计思想的进步，也就会带来CPU性能的明显提升。

暂时最直观的就是发热量小了

作者：杨叙  （英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理）

关键词： IDF 英特尔 核处理器 Nehalem 越王勾践剑

　　今天是上海2008年春季英特尔信息技术峰会（IDF）的第一天。多少年来，每一次出席IDF，我都能感受到一种前进的强大力量，今年也同样如此。参会人数与届俱增，创新成果推陈出新，摩尔定律在延续。本届IDF上，全新的MID（也就是移动互联网设备）的发布，下一代Nehalem微处理器的披露……一系列激动人心的消息，让我和上海IDF的数千名与会者一样，兴奋不已。

　　上午9点多钟，我为IDF致了一个开幕词。其中有一个我自己非常喜欢的环节，那就是我满怀敬意地与大家一起，共同回顾了2500多年前的“越王勾践剑”。同时将“越王勾践剑”与英特尔的45纳米技术和产品进行了类比，这就是所谓的“芯剑传奇”。两者之间的吻合之处，在于都凝聚着当时卓越、创新的人类智慧，辉耀着挑战科技极限的创新光芒。上海IDF的主题叫做“芯动力，新世界”，其本意也是要揭示这一点。

　　1965年，承载着“卧薪尝胆”历史沧桑的文物“越王勾践剑”在湖北荆州出土。让人惊奇的是，这把青铜宝剑穿越了两千多年的历史长河，但剑身依然光芒耀世、丝毫不见锈斑。经过科学分析，发现铜剑之精良，主要在于其独特的复合金属材料和锻造工艺。它是用铜、锡，以及少量的铅、铁、镍、硫等材料制成，而且它通过复合金属浇铸工艺让剑脊含铜较多、剑刃含锡量高，使剑身更有韧性、不易折断，同时保持了剑刃的硬度和锋利。正是因为突破“刚”、“柔”相济极限的青铜配方，巧夺天工的复合金属铸剑工艺，才使“越王勾践剑”历经2500年地下埋藏与侵蚀而不锈，堪称是中国古代工匠的一大创造。

　　当今，英特尔“创芯”与越王“铸剑”竟有着相似的创新智慧和异曲同工之妙。45纳米的技术突破是怎样实现的呢？首先是一改使用了近40年的多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）材料，创造性地使用了基于铪的高-K栅介质和金属栅极晶体管材料，在取得更高运算性能的同时，极大减少了漏电，从而功耗进一步下降，芯片散热问题也得到极大改善。其次是生产制造工艺方面的突破，英特尔45纳米双核处理器集成了4亿1千万个晶体管，四核处理器则集成了8亿2千万个晶体管，这么高的集成度，在十年前、二十年前简直不可思议。

　　正是归功于这些新材料和制造工艺上的革命性创新，英特尔才能不断突破集成电路的能效极限，推出尺寸更小、性能更强、能效更高的芯片，并最终促成了今天以互联网应用为核心、超便携、节能环保的MID的诞生。也正因为英特尔有这样的创新实力支撑，在今天上午上海IDF的讲台上，我才有足够的信心向大家承诺——英特尔将按既定计划推出下一代32纳米处理器系列，并在2010年前将英特尔处理器的平均耗电进一步降低50%！

　　从两千多年前的“越王勾践剑”，到今天的英特尔“酷睿芯”，两者都具有材料和生产工艺的独特性，相似的是创新的智慧，永恒的却是敢于突破、不懈创新的科技精神。英特尔公司成立40周年的历史，归根结底也就是持续追求创新的历史。今天，上海IDF全场闪耀着创新的光芒；未来，英特尔还将继续与产业界携手，不断在技术、应用和客户体验上传扬这一不变的科技创新精神！


PS：个人估计45nm将是突破点 工艺的进步真的开始了

　　从下图可以看出一颗主频仅为2.33GHZ的45纳米 Xeon E5410比两颗主频为3.0GHZ的Xeon 5160用时仅仅相差2秒。可见45纳米技术在性能上已有飞越性的提升。

PS：从测试来看 又一次技术革命开始了

发热小是非常有进步意义的~

功耗反映了CPU的运算速度、运算量的本质

功耗的不同 反映了计算量的不同   如果功耗可以没限制 通过简单的集成更多晶体管是可以提高CPU性能的。同一工艺下性能和功耗是成正比 但功耗有上限 所以性能也有限制。无止境地堆砌更多的晶体管是行不通的，但在功耗允许范围内 有效且合理 地提高晶体管数是有意义的，比如增加二级缓存容量有一定性能改进。

不同工艺下 如果新工艺下的产品功耗降低且性能还有提高 则可以认为是显著的进步



[ 本帖最后由 阡陌 于 2008-4-14 00:30 编辑 ]

对本本
发热是最大的问题