近看英特尔45nm Nehalem核心照 - 数码急诊 - 朝九晚五论坛 www.95to59.com,上海白领门户网站！

℡丑.

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#16

大中

发表于 2008-4-14 14:14 资料个人空间短消息加为好友

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gemini9999

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#17

大中

发表于 2008-4-14 14:55 资料个人空间短消息加为好友

工艺越来越小，功耗越来越大，发热量也成倍增加。光刻硅技术已经快于上瓶颈了。

阡陌

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#18

大中

发表于 2008-4-14 23:35 资料个人空间短消息加为好友

QUOTE:

原帖由 gemini9999 于 2008-4-14 14:55 发表

工艺越来越小，功耗越来越大，发热量也成倍增加。光刻硅技术已经快于上瓶颈了。

呵呵没仔细看帖子

同今天的65nm技术相比，英特尔宣称45nm技术具有多个方面的优势：

4、源极-漏极漏电功率降低5倍以上
5、栅极氧化物漏电功率降低10倍以上

任何一代新的工艺肯定在功耗上是有显著提高的，约降低20%-30%

但最后成品功耗没有降低是因为新一代产品的晶体管集成度成倍增加造成的

固体物理上的进步确实超出了以前的想象，很难说以后会怎么样

“It takes a strong man to save himself, and a great man to save another.”